聯電表示，新加坡P4廠擴建無塵室將擴充矽光子產能，台南新廠則作為未來P7、P8廠基地，支援客戶先進封裝等新業務發展，藉此提前因應AI帶動的新一波需求。
聯電執行長王石表示，聯電12吋產能利用率目前已維持健康水準，公司若等到需求真正爆發才開始建廠，恐怕將錯失市場機會，因此決定提前布局。他強調，這並非傳統景氣循環下的大規模擴產，而是基於未來5年的產業趨勢，預先建立可快速部署的產能。
他指出，除了AI資料中心持續推升運算晶片需求外，連線晶片、電源管理IC（PMIC）也正受惠於高速傳輸及高效率供電需求而快速成長；此外，電動車、自駕車、車載娛樂，以及機器人、衛星等新興應用，也同步帶動感測、連線、記憶體與電源管理等特殊製程需求增加，讓聯電看見成熟製程新的成長空間。
王石表示，近年聯電積極切入先進封裝與矽光子，也擴大了公司的目標市場。目前先進封裝產品已從2.5D中介層、3D晶圓對晶圓混合鍵合，延伸至記憶體堆疊等方案，已有超過10家活躍客戶、35項新產品正在洽談，預計2026年至2027年陸續完成設計定案，因此公司必須提前準備未來所需產能。
聯電此次採取「先建基礎設施、後裝設備」策略，以降低前期折舊壓力，新加坡P4將優先完成無塵室建置，再依客戶需求添購設備；台南則先興建P7、P8廠房，待市場需求更加明朗後，再展開後續無塵室與設備投資。
王石表示，整體擴產將採分階段推動，每一步都將以市場驗證、客戶承諾及投資報酬率為依據，希望在維持資本紀律下，兼顧產能部署彈性。他透露，董事會此次核准的投資總額接近50億美元，將作為未來2～3年的發展基礎，再依訂單情況逐步執行。
由於擴產計畫啟動，聯電同步將2026年資本支出由原先15億美元提高至20億美元。王石坦言，新廠建設也意味著折舊曲線將重新上升，公司預估未來2年折舊費用將以低雙位數百分比逐年增加，毛利率短期將受到一定影響，但可望透過利用率提升、AI產品組合改善及先進封裝等高附加價值業務，帶動EBITDA與絕對獲利持續成長。
至於市場關心的時程，王石表示，目前建廠前置時間已拉長至20個月以上，因此新產能最快將落在2028年至2029年間逐步到位。
